面向 LED 显示的 ITO 薄膜光电性能及稳定性研究
作者：
徐文武，张志茂
河北省产业转型升级服务中心，河北，石家庄 050000
摘要
发光二极管(Light Emitting Diode)，简称LED，是一种电致发光器件，具有体积小、功率低、亮度高等优点，在照明领域应用广阔。通常，制备LED器件时，作为出光面的P-GaN材料载流子浓度较低，导电性差，电流不能有效扩展，限制了出光效率。为提高出光效率，在出光面和电极之间需要一种导电性好，同时透光性高的薄膜材料。氧化铟锡(Indium Tin Oxide)，简称ITO，同时具有较高的电导率和可见光区透过率，化学稳定性好，附着性高，并且便于图形加工，在LED器件中作为电流扩展层成为了重要组成部分。本文研究了直流磁控溅射法制备应用于LED的ITO薄膜时，O2流量、溅射功率、溅射气压等工艺参数对薄膜光电性能的影响，并得出结论。
关键词：LED；ITO薄膜；磁控溅射；光电性能
Abstract
Key words：
参考文献 References
[1]王晓明,郭伟玲,高国等.LED--新一代照明光源[J].现代显示,2005,(7):15-19,41.
[2]张健,齐振华,李建浩等.磁控溅射法制备ITO膜层及其光电性能研究[J].真空,2022,59(6):45-50.
[3]丁景兵,蔡长龙,邵雨.ITO透明导电薄膜的射频磁控溅射制备[J].西安工业大学学报,2018,38(3):226-231.
[4]刘峰.射频磁控溅射制备ITO薄膜及其透明导电性能的研究[D].武汉:武汉科技大学,2018.
[5]彭寿,蒋继文,李刚等.直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响[J].硅酸盐学报,2016,44(7):987-994.
